產(chǎn)品展示
四探針電阻率測(cè)試儀，哪里專(zhuān)業(yè)提供四探針電阻率測(cè)試儀，生產(chǎn)提供四探針電阻率測(cè)試儀
點(diǎn)擊次數(shù)：207發(fā)布時(shí)間：2013/3/11 13:19:40
更新日期：2016/3/14 9:02:55
所 在 地：中國(guó)大陸
產(chǎn)品型號(hào)：KDY-1A
優(yōu)質(zhì)供應(yīng)
詳細(xì)內(nèi)容
四探針電阻率測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：
1.測(cè)量厚度大于4倍探針間距的硅晶體，也可測(cè)量薄硅片電阻率及方阻。
2.電阻率測(cè)量范圍復(fù)蓋*常用的區(qū)段：0.01—199.9Ω·cm。（可添加電阻率小于0.5Ω·cm的報(bào)警功能）
方塊電阻測(cè)量范圍復(fù)蓋*常用的區(qū)段：0.1—1999Ω/□。（可添加方塊電阻小于5Ω/□的報(bào)警功能）
3.配置高精度恒流源，測(cè)量電流穩(wěn)定，分兩檔：1mA、10mA，每檔均可在大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)（1mA：0.1—1mA；10mA：1mA—10mA）。
4.測(cè)量精度高：電器測(cè)量精度優(yōu)于0.3%；
整機(jī)測(cè)量誤差：測(cè)量1-100Ω·cm的標(biāo)準(zhǔn)硅片誤差≤±3%。
測(cè)量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的標(biāo)準(zhǔn)硅片誤差≤±5%。
5.重量輕，約2.5kg；體積�。�240×210×100（mm）。
6.可配用多種探針間距的四探針頭：1.00mm、1.59mm。
四探針電阻率測(cè)試儀符合半導(dǎo)體材料電阻率的及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法。
