腦循環(huán)功能障礙治療儀(rTMS)是應用低煩頻譜交變電磁治療技術研制的用于腦部疾病治濘的*新型重復性的綜合腦病治療設備。主機內存多種治療率和治療強度。治療時主機可同時顯示輸出的治療信息。該設備通過治療帽中多點電磁發(fā)生器，直接透過顱骨達到腦內較深層組織，主要作用在腦細胞和中樞神經(jīng)上，使細胞帶電量增加，攜氧能力増強改善腦細胞的代謝環(huán)境，磁力線很容易而且無創(chuàng)傷地穿透顱骨，rIMS的刺激深度可達到1-3cm，使受損的腦細胞代謝加快，増加損傷細胞的可修復性。千擾和抑制異常腦電、腦磁的發(fā)生和傳播，使腦電活動能力增強促進腦功能的恢復，從而達到治療和改善某些腦部疾病。
治療原理：
腦循環(huán)功能障礙治療儀是一種小腦頂核電刺激治療儀（非藥物性治療），采用生物信息模擬技術及計算機軟件技術合成脈沖組合波形，通過粘貼于兩耳側乳突的電極貼片，無創(chuàng)引入小腦頂核，對人的腦部進行電刺激治療，擴張大腦血管，改善腦微循環(huán)，其機理是腦內固有的神經(jīng)傳導通路受到特定的電刺激，會影響腦循環(huán)和腦血管自動調節(jié)功能，提高腦血流（rCBF）。 主要功能是：顯著增加腦部血流量，保護神經(jīng)細胞，促進神經(jīng)功能恢復。穩(wěn)定大腦細胞膜的興奮性。

腦循環(huán)功能障礙治療儀適用范圍：
1、缺血性腦血管病：腦供血不足、腦萎縮、腦椎底供血不足；
2、腦脊髓損傷性疾�。耗X損傷、腦炎后遺癥、脊髓損傷。
腦循環(huán)功能障礙治療儀的禁忌癥如下：
頭顱內有金屬的異物或者帶有心臟起搏器的患者、心臟支架植入的患者、有耳蝸植入者、有顱內壓明顯增高的患者，接近刺激線圈部位的金屬或者電子儀器，例如助聽器、醫(yī)療泵等植入體內的異物有被破損的風險。
腦循環(huán)功能障礙治療儀技術參數(shù):
1、磁療參數(shù)
（1）、磁療功能，磁感應強度分為兩檔，強度范圍為5mT～16mT；
（2）、磁場頻率為50Hz±1Hz；
(3）、磁療發(fā)生器：9個；
（4）、振動按功能，振動強度、振動頻率均四檔可調；
（5）、四種工作模式：常規(guī)、脈沖、夜間和連續(xù)；
（6）、治療時間：治療時間可在1min～90min范圍內調節(jié)。
2、電療參數(shù)
（1）、混合低頻鋸齒波、正弦波和三角波多種脈沖波形輸出；
(2）、主極基本頻率: 23.81Hz、15.87Hz、15.87Hz、11.90Hz，輔極基本頻率為4000Hz；
(3)、輸出電流：主極大電流峰值≤45mAp-p，輔極大電流峰值≤82mAp-p，主極有效電流強度≤3mA。